透射电子显微镜(Transmission Electron Microscopy) 具有纳米级的分辨率被广泛应用于半导体芯片失效分析领域。但是TEM对样品的厚度要求很高（小于100nm）。FIB-SEM(Focused Ion Beam-Scanning )双束系统由于其加工精度高等优势常用来制备透射电子显微镜样品。然而一些新结构，新材料器件的出现使得传统的制样方式不再能制备高质量的TEM样品。需要根据器件特性总结，探索出更优的制样方式。华东师范大学原位先进器件中心硕士生张子健总结了一些针对先进器件的FIB样品制备方式。该工作以“The Trends of In Situ Focused Ion Beam Technology: Towards Preparing Transmission Electron Microscopy Lamella and Devices at the Atomic Scale”为题发表在期刊“Advanced Electronic Materials”上。
https://doi.org/10.1002/aelm.202101401
