与CMSO工艺兼容的铪基铁电材料能在纳米尺度保持强的铁电性，是实现高密度铁电集成器件的关键材料。然而在铪基铁电器件中，其表现出疲劳、退化等可靠性问题，限制了其进一步发展。基于此，华东师范大学吴幸课题组采用先进原位透射电子学技术，在对工作中的铪基器件进行原子尺度上的实时监测，发现铪基铁电层中的铁电相在电场下向介电相的相变是引起器件失效的关键因素。同时高的界面粗糙度是降低相变电场的重要原因。随后吴课题组采用界面工程思想，在铪基铁电层与电极界面引入一层纳米级厚度的氧化缓冲层，提升了界面平整度。界面层的引入有效的增强了铪基铁电层中铁电相的稳定性，提升了临界相变电场，增强了铪基铁电器件的可靠性。该工作以“Enhancement of the ferroelectricity by interface engineering observed by in situ transmission electron microscope”为题，发表在期刊Applied Physics Letters上。https://doi.org/10.1063/5.0087715
