阻变存储器(RRAM)具有简单的器件结构、高开关速度和低功耗，已被证明是实现具有高密度突触的神经形态系统非常有前景的解决方案。RRAM器件的应用需要了解阻变过程的微观机制，这与先进的表征技术密不可分。具有高分辨率成像和多功能外场的原位透射电子显微镜(TEM)在纳米尺度器件的静态表征和动态操作中发挥着重要作用。基于此，华东师范大学吴幸课题组专注于原位TEM技术，总结了原位TEM设置和用于RRAM的相应样品制造过程、应用于RRAM的脉冲和直流电压等电刺激方法，以及可用于表征电势分布的电子全息术。通过对RRAM样本施加各种电刺激，可以根据需要改变仿生突触的工作模式。最后，指出了目前利用原位TEM进行RRAM研究面临的挑战，并提出展望。该工作以“Review of electrical stimulus methods of in situ transmission electron microscope to study resistive random access memory”为题，发表在期刊Nanoscale上。https://doi.org/10.1039/D2NR01872A
